01、区别

N沟道和P沟道 MOSFET之间的主要区别在于，N沟道通常连接到负载（正在供电的设备）的接地 (-) 侧，而 P 沟道连接到 VCC (+) 侧。

为什么必须将一端与N极连接起来，而另一个与P极连接起来？

增强型（“常闭”） 当栅极上相对于源极有足够高的正电压（逻辑电平 MOSFET 通常为3~5V）时，N 沟道 MOSFET就会导通。您可以使用 VCC (+) 将源级连接到地 (-) 来导通它。

如果将N沟道MOSFET连接 到负载的VCC侧，源值也将非常接近VCC。要导通MOSFET，必须向栅极施加大于 VCC 的电压。由于这种较高的电压并不总是容易获得，因此将电源接地更有意义。

增强型（“常闭”）P沟道MOSFET类似于颠倒的N沟道MOSFET。如果栅极相对于源具有足够高的负电压，则它会导通。您可以通过将源连接到VCC (+) 和地 (-) 来导通它。

将P沟道MOSFET连接到负载的负侧与连接N沟道MOSFET具有相同的问题。要想导通，栅极对地必须施加负电压（相对于地）。

将N沟道MOSFET的源极引脚连接到电源的负输出，将P沟道MOSFET的源极引脚连接到电源的正输出，这就是简单的总结用法。

02、为何优先选择 N 沟道 MOSFET

而不是P沟道 MOSFET？

使用其中任何一个的方式设计电路。如果有一个以5V电压运行的Arduino/STC单片机板，并且打开的设备也是5V电压运行，那也没关系。只要接线正确，就可以使用 N 沟道或P 沟道MOSFET。

那么，为什么N沟道优于P沟道？

使用N 沟道 MOSFET，可以在12V电源Arduino之间创建公共接地。

使用 P 沟道 MOSFET 时，必须创建公共VCC而不是公共地。然而，连接的设备和模块之间具有公共接地是标准做法。

N 沟道 MOSFET在效率方面优于 P 沟道 MOSFET。

这一切都归结为物理学。N沟道 MOSFET 中的电荷载流子是电子流。空穴流的迁移率比电子流低，在P 沟道 MOSFET中用作电荷载流子。结果，它们的抵抗力更强，效率更低。负载较高时，P沟道MOSFET 将比N 沟道MOSFET 更热。

03、MOSFET的优点

即使在低电压水平下运行，它也能提高效率。

当没有栅极电流时，会产生更多的输入阻抗，从而提高器件的开关速度。

这些设备可以在低功率水平下运行并且消耗很少的电流。

04、MOSFET的缺点

当这些器件在过压水平下运行时，器件会变得不稳定。

由于器件具有薄的氧化层，静电荷可能会对器件造成损坏。

05、MOSFET的应用

MOSFET 放大器广泛用于各种频率应用。

这些器件为直流电机提供调节。

由于开关速度提高，它们非常适合构建斩波放大器。

用作各种电子元件的无源元件。