.图中1给我们展示了器件的封装为SOT23封装；

.图中2中为N沟道的原理图符号，N沟道MOS管有3个极，分别是G(栅极)，S(源极)，D(漏极)；注意箭头方向是从S指向G，同时内部有个体二极管，方向和箭头指向一致；

.图中3给我们标注了引脚序号对应的三个极，这个画封装焊盘和器件原理图符号就是根据这个来画的；图中4在器件实物表面丝印有2302字样，便于我们区分；

下面是在常温下测试的极限参数：

.VDS = 20V，表示DS之间加载电压差最大不超过20V；

.VGS = ±8V，表示在GS之间电压差最大不超过8V，最小不超过-8V；

.ID = 2.1A，表示该MOS管漏极持续电流最大不超过2.1A；

.Is = 0.6A，表示通过栅极和源极之间的通道产生的电流为0.6A；

.PD = 0.35W，表示该MOS管额定功率是0.35W；这个和三极管一样都会受温度升高而降低，所以选型还是降额选取；

下面我们主要关注标注的3点内容：

1.VGS(th)表示N沟道MOS管的导通阈值，图中表示该MOS管的导通阈值在0.95V左右；这个是低阈值MOS管，好处是低电压即可驱动；

2. RDS(on)表示MOS管导通时，DS之间的阻抗大小；

3. Ciss为输入电容，Coss为输出电容，Crss为反向传输电容，这个怎么理解，我们举个例子：

我们看下图中三个极间电容：则有

输入电容Ciss = Cgd +Cgs；

输出电容Coss = Cds +Cgd；

Crss = Cgd ；Crss也叫米勒电容，米勒电容为啥会叫这个名字咧？我们知道MOS管有个比较有名的效应，即米勒效应，就是这个电容影响的结果；

即我们前端输入电压给Cgs充电时，当Cgs两端电压小于阈值电压，MOS管关闭；

当Cgs两端电压开始大于阈值电压时，ID电流从0迅速增大，同时当进入米勒平台效应时，VGS电压将保持不变，不再上升，此时VGS部分电流从米勒电容支路流失，待米勒效应过后，VGS继续上升到驱动电压；

为什么介绍这个米勒效应，因为米勒效应增加了导通时间，即额外增加了MOS管的损耗；这个我们注意一下

MOS管的损耗有3部分构成：

1. 导通损耗；

2. 开启损耗；

3. 关断损耗；

最后总结下选型要求：

1. 根据我们驱动目标要求和结构空间大小确认封装；

2. 根据目标整体电流，确定额定功率；

3. 根据电路中电源电压确认目标MOS管阈值大小；

4. 根据成本要求，确认最终品牌；

N-MOS管在设计电路时可以类比三极管：

1. 基极要加限流电阻，以免MOS管栅极被大电流损坏；

2. 基极要加下拉电阻，确定MOS管闲置时处于关闭状态；

3. NMOS管导通条件，在GS两端电压差要大于阈值电压；

4. NMOS管GS不具有钳位功能，基极电压只受R2和R3分压影响；

5. NMOS管是电压控制元件；

.这个电路也叫开漏输出电路，我们经常在MCU中看到有的引脚是开漏输出，即只能输出低电平，因为漏极没有接电压；

.我们再看下PMOS管应用电路；

.1. 我们记住PMOS管开启条件和NMOS相反，即VS - VG > 阈值电压；

.2. 当输入低电平时，PMOS管开启，漏极输出5V；

.我们在研发产品时，有很多基于干电池的产品，在低功耗设计时，就可以考虑P管来控制电源的开关：

.1.当VCC是我们干电池电压时，MCU是3.3V供电；我们就可以用PMOS管来控制电源供给，当输入高时，PMOS关闭；当输入低时，PMOS开启；

.那如果我们产品是基于锂电池，那么这个PMOS管电路还能用么？

.我们MCU高电平是3.3V，锂电池充满电压是4.2V；依然有个1V左右压差，PMOS在这种情况下会导通；

我们知道PMOS是输入低电平，使VSG压差大于阈值电压，让其导通；前面NMOS我们说过开漏输出低，我们把2个电路结合下；

1. 当我们前端电压输入低，Q1栅极被R3下拉到地，Q1关闭，Q3栅极被R5上拉到高，Q3关闭；

2. 当前端输入高，Q1导通，Q3栅极从高变低，Q3导通，VCC从Q3漏极输出；

此电路优点：

1. 输入高，输出高；输入低，无输出；此为正逻辑，便于分析控制电路；

2. 无论VCC是多少，我们这个电路都适用；

我们在研发产品时，我们为了保证产品的可靠性，我们会设计电源防反电路；这是为了防止电源错插，插反导致主板烧毁；为了防止这种情况的发生，我们在源头增加了这一道程序；

我们来看：

1.在小电流场景下，我们一般可以用二极管来做防反电路，利用二极管的单项导电性；

下面左图中电源正接，电源经过D1，R5到地构成一个完整回路，而右图中电源反接，由于二极管单向导电，没有回路，因此截止；

为啥只能在小电流场景下，大电流下二极管电压降大，功率就大，发热就厉害；

2.我们来看NMOS管

我们知道NMOS管是GS压差大于开启电压才能导通，我们怎么利用电源？

如下图1，2中，2种电路在电源正接时均可以实现12V输出；那么是不是2种电路均可以适用？

我们之前说过，额外加载电路不能对原来电路造成影响，即反接的话也要对原来电路没影响才对；我们看：

在反接仿真时可以明显看出，左图输出接近0V，即无输出；右图中依然有输出，而且是负输出；

对于上述电路我们要注意，肯定有人会疑惑，NMOS管不是VGS电压大于阈值电压才开启么，上面右图怎么有输出咧，我们要注意MOS管还有个体二极管，这个二极管正向也会导通的；

上述电路我们优化下：

1. NMOS管栅极要做限流处理；

2. VGS电压不能超过手册中最大电压，还要留有余量，所以栅极电压我们做分压处理；

对于上述电路，我们将大电源电压分压成小电压给栅极，再在R4旁并联一个6V的稳压管，保证NMOS管的可靠性；

2.对于PMOS，我们类比NMOS管设计：